Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6035KNZ1C9
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4453207Зображення R6035KNZ1C9LAPIS Semiconductor

R6035KNZ1C9

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$6.05
10+
$5.405
100+
$4.432
500+
$3.589
1000+
$3.027
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6035KNZ1C9
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6035KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    379W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Інші імена
    R6035KNZ1C9TR
    R6035KNZ1C9TR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6035KNZ1C9".
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R60400-3CR

R60400-3CR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Опис: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6046FNZC8

R6046FNZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Опис: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.