Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6030ENZ1C9
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1707083Зображення R6030ENZ1C9LAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6030ENZ1C9
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6030ENZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    120W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6030ENZ1C9".
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.