Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6024ENZC8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5908046Зображення R6024ENZC8LAPIS Semiconductor

R6024ENZC8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6024ENZC8
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6024ENZC8.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-3PF
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    120W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-3P-3 Full Pack
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6024ENZC8".
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.