Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6020ENZC8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
192254Зображення R6020ENZC8LAPIS Semiconductor

R6020ENZC8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6020ENZC8
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6020ENZC8.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-3PF
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    120W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-3P-3 Full Pack
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6020ENZC8".
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Опис: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Опис: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Виробники: Rohm Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Опис: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.