Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6018ANJTL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3181539Зображення R6018ANJTLLAPIS Semiconductor

R6018ANJTL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$3.333
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6018ANJTL
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6018ANJTL.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    LPTS
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    270 mOhm @ 9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    100W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2050pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 18A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6018ANJTL".
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Опис: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Опис: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Опис: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Опис: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Опис: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.