Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R6007KNX
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6859140Зображення R6007KNXLAPIS Semiconductor

R6007KNX

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.81
10+
$1.604
100+
$1.268
500+
$0.983
1000+
$0.776
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R6007KNX
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    R6007KNX.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220FM
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    620 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    46W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    15 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    14.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R6007KNX".
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60060-1CR

R60060-1CR

Опис: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R60060-3CR

R60060-3CR

Опис: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Опис: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Опис: GASKET

Виробники: Hammond Manufacturing
В наявності
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Опис: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60060-2COR

R60060-2COR

Опис: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R60060-2CR

R60060-2CR

Опис: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6008-00

R6008-00

Опис: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Виробники: Harwin
В наявності
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R60060-3COR

R60060-3COR

Опис: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
R6006ANDTL

R6006ANDTL

Опис: MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R6009-00

R6009-00

Опис: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Виробники: Harwin
В наявності
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.