Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > R5016FNJTL
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4713630Зображення R5016FNJTLLAPIS Semiconductor

R5016FNJTL

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$1.626
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    R5016FNJTL
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 16A LPT
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.R5016FNJTL.pdf
    2.R5016FNJTL.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    LPTS
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    325 mOhm @ 8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    50W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    R5016FNJTLTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1700pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 16A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "R5016FNJTL".
R5016ANX

R5016ANX

Опис: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Опис: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Опис: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Опис: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5020418FSWA

R5020418FSWA

Опис: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Опис: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Опис: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5020613LSWA

R5020613LSWA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Опис: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5020610RSWA

R5020610RSWA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Опис: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Виробники: Powerex, Inc.
В наявності
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Опис: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Опис: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.