Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPD30N06S2L13ATMA4
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2054459Зображення IPD30N06S2L13ATMA4International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N06S2L13ATMA4

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.40
10+
$1.24
100+
$0.98
500+
$0.76
1000+
$0.60
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPD30N06S2L13ATMA4
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPD30N06S2L13ATMA4.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 80µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO252-3-11
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 30A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    136W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    IPD30N06S2L13ATMA4CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    55V
  • Детальний опис
    N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPD30N06S2L13ATMA4".
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 34A

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N10S3L34ATMA1

IPD30N10S3L34ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S2-15

IPD30N06S2-15

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Опис: MOSFET N-CHANNEL_100+

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N03S2L07ATMA1

IPD30N03S2L07ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.