Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPD144N06NGBTMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4246891Зображення IPD144N06NGBTMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD144N06NGBTMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPD144N06NGBTMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPD144N06NGBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 80µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO252-3
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    136W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    IPD144N06N G
    IPD144N06N G-ND
    IPD144N06NGBTMA1TR
    IPD144N06NGINTR
    IPD144N06NGINTR-ND
    IPD144N06NGXT
    SP000203941
    SP000443738
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1900pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPD144N06NGBTMA1".
IPD170N04NGBTMA1

IPD170N04NGBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 45A

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Опис: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Опис: LV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

Опис: N-CHANNEL_55/60V

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPD16CNE8N G

IPD16CNE8N G

Опис: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.