Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB80N06S209ATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
203389Зображення IPB80N06S209ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S209ATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB80N06S209ATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB80N06S209ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 125µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO263-3-2
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    190W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB80N06S2-09
    IPB80N06S2-09-ND
    IPB80N06S209ATMA1TR
    SP000218741
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2360pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    55V
  • Детальний опис
    N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB80N06S209ATMA1".
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.