Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB60R125C6ATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5287331Зображення IPB60R125C6ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R125C6ATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$2.959
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB60R125C6ATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB60R125C6ATMA1.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 960µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    CoolMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    219W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB60R125C6
    IPB60R125C6-ND
    IPB60R125C6ATMA1TR
    IPB60R125C6TR-ND
    SP000687456
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2127pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB60R125C6ATMA1".
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R190C6ATMA1

IPB60R190C6ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Опис: MOSFET TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.