Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB180N06S4H1ATMA2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3918770Зображення IPB180N06S4H1ATMA2International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N06S4H1ATMA2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$2.033
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB180N06S4H1ATMA2
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB180N06S4H1ATMA2.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO263-7-3
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    250W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Інші імена
    SP001028786
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    21900pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB180N06S4H1ATMA2".
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Опис: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Опис: MOSFET P-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.