Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB144N12N3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4304281Зображення IPB144N12N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.00
10+
$1.806
100+
$1.451
500+
$1.129
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB144N12N3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB144N12N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 61µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 56A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    107W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB144N12N3 GDKR
    IPB144N12N3 GDKR-ND
    IPB144N12N3GATMA1DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3220pF @ 60V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    120V
  • Детальний опис
    N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    56A (Ta)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB144N12N3GATMA1".
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Опис: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Опис: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Опис: MOSFET P-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Опис: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Опис: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Опис: MOSFET N-CH TO262-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Опис: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.