Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB108N15N3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4912724Зображення IPB108N15N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB108N15N3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$5.23
10+
$4.669
100+
$3.829
500+
$3.10
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB108N15N3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB108N15N3GATMA1.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 160µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 83A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    214W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB108N15N3 GDKR
    IPB108N15N3 GDKR-ND
    IPB108N15N3GATMA1DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3230pF @ 75V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    8V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    83A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB108N15N3GATMA1".
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Опис: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Виробники: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Опис: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Опис: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Опис: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Опис: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.