Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB042N10N3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
744513Зображення IPB042N10N3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB042N10N3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.28
10+
$2.96
100+
$2.379
500+
$1.85
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB042N10N3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB042N10N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 150µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    214W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    IPB042N10N3 GDKR
    IPB042N10N3 GDKR-ND
    IPB042N10N3GATMA1DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB042N10N3GATMA1".
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Опис: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Опис: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.