Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IPB025N10N3GE8187ATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3333365Зображення IPB025N10N3GE8187ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$3.413
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IPB025N10N3GE8187ATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IPB025N10N3GE8187ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 275µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TO263-7
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Інші імена
    IPB025N10N3 G E8187
    IPB025N10N3 G E8187-ND
    IPB025N10N3GE8187ATMA1TR
    SP000939338
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    14800pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 180A 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    180A

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IPB025N10N3GE8187ATMA1".
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.