Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > BSZ100N06LS3GATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
7066768Зображення BSZ100N06LS3GATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ100N06LS3GATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.14
10+
$1.01
100+
$0.798
500+
$0.619
1000+
$0.489
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    BSZ100N06LS3GATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.BSZ100N06LS3GATMA1.pdf
    2.BSZ100N06LS3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 23µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TSDSON-8
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.1W (Ta), 50W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerVDFN
  • Інші імена
    BSZ100N06LS3GATMA1CT
    BSZ100N06LS3GINCT
    BSZ100N06LS3GINCT-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3500pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 20A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "BSZ100N06LS3GATMA1".
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ105N04NSGATMA1

BSZ105N04NSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NSATMA1

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ120P03NS3EGATMA1

BSZ120P03NS3EGATMA1

Опис: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

Опис: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Опис: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5ATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.