Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > BSC010N04LSIATMA1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
595780Зображення BSC010N04LSIATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC010N04LSIATMA1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.08
10+
$3.643
100+
$2.987
500+
$2.419
1000+
$2.04
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    BSC010N04LSIATMA1
  • Виробник / марка
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    BSC010N04LSIATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PG-TDSON-8 FL
  • Серія
    OptiMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.05 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    BSC010N04LSIATMA1CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    6200pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Body)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    37A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "BSC010N04LSIATMA1".
BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N03MSGATMA1

BSC014N03MSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC010N04LSCATMA1

BSC010N04LSCATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC010N04LSTATMA1

BSC010N04LSTATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC014N03LSGATMA1

BSC014N03LSGATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Опис: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1

Опис: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

Опис: DIFFERENTIATED MOSFETS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.