Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > PMIC - Ворота водіїв > IX2113G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
623681

IX2113G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$1.247
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IX2113G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC GATE DRVR 600V HI/LO 14DIP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - Постачання
    10 V ~ 20 V
  • Пакет пристрою постачальника
    14-DIP
  • Серія
    -
  • Час підйому / падіння (тип)
    9.4ns, 9.7ns
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Кількість драйверів
    2
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Напруга логіки - VIL, VIH
    6V, 9.5V
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Non-Inverting
  • Висока бічна напруга - Макс (завантажувач)
    600V
  • Тип воріт
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • Керована конфігурація
    Half-Bridge
  • Детальний опис
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
  • Поточний - Піковий вихід (джерело, раковина)
    2A, 2A
  • Тип каналу
    Independent
IX21844G

IX21844G

Опис: IC GATE DVR HALF 600V 14DIP

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2204NE

IX2204NE

Опис: IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2127NTR

IX2127NTR

Опис: IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2113B

IX2113B

Опис: IC GATE DVR HIGH/LOW 600V 16SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX21844N

IX21844N

Опис: IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2120BTR

IX2120BTR

Опис: 1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2B11S7

IX2B11S7

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX21844NTR

IX21844NTR

Опис: IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2A11S1

IX2A11S1

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX2113-EVAL

IX2113-EVAL

Опис: BOARD EVAL DEMO IX2113 MOSFET

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2B11S7T/R

IX2B11S7T/R

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX2113BTR

IX2113BTR

Опис: IC GATE DVR HIGH/LOW 600V 16SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2120B

IX2120B

Опис: 1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2B11P7

IX2B11P7

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX2204NETR

IX2204NETR

Опис: IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2127G

IX2127G

Опис: IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2A11S1T/R

IX2A11S1T/R

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX2A11P1

IX2A11P1

Опис: IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IX21844-EVAL

IX21844-EVAL

Опис: BOARD EVAL DEMO IX21844

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
IX2127N

IX2127N

Опис: IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти