Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXTT2N300P3HV
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
63086Зображення IXTT2N300P3HVIXYS Corporation

IXTT2N300P3HV

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$42.55
30+
$36.168
120+
$33.615
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXTT2N300P3HV
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Свинець вільним звільненням / відповідністю RoHS
  • Технічні таблиці
    IXTT2N300P3HV.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-268
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    21 Ohm @ 1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    520W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    3000V
  • Детальний опис
    N-Channel 3000V 2A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXTT2N300P3HV".
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Опис: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

Опис: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Опис: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Опис: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Опис: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Опис: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Опис: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Опис: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Опис: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Опис: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Опис: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Опис: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.