Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN82N60Q3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5530389Зображення IXFN82N60Q3IXYS Corporation

IXFN82N60Q3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$49.63
10+
$46.415
100+
$40.244
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN82N60Q3
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN82N60Q3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    6.5V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    HiPerFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 41A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    960W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    275nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    66A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN82N60Q3".
IXFP12N50PM

IXFP12N50PM

Опис: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Опис: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN82N60P

IXFN82N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN90N30

IXFN90N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP10N80P

IXFP10N80P

Опис: MOSFET N-CH 800V 10A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N48

IXFN80N48

Опис: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP10N60P

IXFP10N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

Опис: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP12N50P

IXFP12N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

Опис: 500V POLAR2 HIPERFETS

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN73N30

IXFN73N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Опис: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Опис: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50

IXFN80N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Опис: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP102N15T

IXFP102N15T

Опис: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN90N85X

IXFN90N85X

Опис: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Опис: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFP12N65X2

IXFP12N65X2

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.