Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN66N85X
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
985121Зображення IXFN66N85XIXYS Corporation

IXFN66N85X

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$37.72
10+
$34.891
100+
$29.799
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN66N85X
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN66N85X.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    HiPerFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 33A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    830W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    8900pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    230nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    850V
  • Детальний опис
    N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN66N85X".
IXFN80N48

IXFN80N48

Опис: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50

IXFN80N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN56N90P

IXFN56N90P

Опис: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Опис: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

Опис: MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Опис: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN64N60P

IXFN64N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Опис: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Опис: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN64N50PD2

IXFN64N50PD2

Опис: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN55N50F

IXFN55N50F

Опис: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXFN64N50PD3

IXFN64N50PD3

Опис: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN64N50P

IXFN64N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN60N80P

IXFN60N80P

Опис: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2

Опис: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN60N60

IXFN60N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN73N30

IXFN73N30

Опис: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.