Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN360N15T2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1619789Зображення IXFN360N15T2IXYS Corporation

IXFN360N15T2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$37.06
10+
$34.281
30+
$31.501
100+
$29.277
250+
$26.869
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN360N15T2
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN360N15T2.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    GigaMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 60A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1070W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    47500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    715nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    N-Channel 150V 310A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    310A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN360N15T2".
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

Опис: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Опис: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Опис: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN400N15X3

IXFN400N15X3

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Опис: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Опис: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

Опис: MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Опис: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Опис: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Опис: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Опис: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Опис: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Опис: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Опис: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Виробники: IXYS
В наявності
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.