Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN320N17T2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3492007Зображення IXFN320N17T2IXYS Corporation

IXFN320N17T2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$37.06
10+
$34.281
30+
$31.501
100+
$29.277
250+
$26.869
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN320N17T2
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN320N17T2.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    GigaMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 60A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1070W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    45000pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    640nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    170V
  • Детальний опис
    N-Channel 170V 260A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    260A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN320N17T2".
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Опис: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Опис: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Опис: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Опис: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Опис: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Опис: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Опис: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Опис: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Опис: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Опис: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Опис: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Опис: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Виробники: IXYS
В наявності
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Опис: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.