Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN26N100P
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
507276Зображення IXFN26N100PIXYS Corporation

IXFN26N100P

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10+
$38.406
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN26N100P
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXFN26N100P.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    Polar™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 13A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    595W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    11900pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    1000V
  • Детальний опис
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXFN26N100P".
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Опис: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Опис: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Опис: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Опис: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Опис: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Опис: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Опис: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Опис: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Опис: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Опис: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Опис: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Опис: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Опис: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Опис: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Опис: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Опис: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Опис: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Опис: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.