Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXFN100N10S3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1781997Зображення IXFN100N10S3IXYS Corporation

IXFN100N10S3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXFN100N10S3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227B
  • Серія
    HiPerFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 500mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    360W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)
IXFN120N20

IXFN120N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Опис: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Виробники: IXYS
В наявності
IXFM1766

IXFM1766

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N25

IXFN100N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Опис: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM42N20

IXFM42N20

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM11N80

IXFM11N80

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM35N30

IXFM35N30

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Опис: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Опис: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN106N20

IXFN106N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM1633

IXFM1633

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N20

IXFN100N20

Опис: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM67N10

IXFM67N10

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM1627

IXFM1627

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Опис: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
IXFM15N60

IXFM15N60

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти