Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > 70V3579S6BCI8
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6348033

70V3579S6BCI8

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$57.191
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    70V3579S6BCI8
  • Виробник / марка
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    70V3579S6BCI8.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологія
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Пакет пристрою постачальника
    256-CABGA (17x17)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    256-LBGA
  • Інші імена
    IDT70V3579S6BCI8
    IDT70V3579S6BCI8-ND
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    1.125Mb (32K x 36)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    SRAM
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 256-CABGA (17x17)
  • Номер базової частини
    IDT70V3579
  • Час доступу
    6ns

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "70V3579S6BCI8".
70V3589S133BCI8

70V3589S133BCI8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BF

70V3589S133BF

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BF8

70V3589S133BF8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BCI

70V3589S133BCI

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3589S133BC8

70V3589S133BC8

Опис: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
70V3579S6DR

70V3579S6DR

Опис: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Виробники: IDT (Integrated Device Technology)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.