Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - Модулі > GSID100A120T2P2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2766032

GSID100A120T2P2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3+
$150.843
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GSID100A120T2P2
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    SILICON IGBT MODULES
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GSID100A120T2P2.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Пакет пристрою постачальника
    Module
  • Серія
    Amp+™
  • Потужність - Макс
    710W
  • Пакет / Корпус
    Module
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C
  • NTC термістор
    Yes
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Cies) @ Vce
    13.7nF @ 25V
  • Вхідний
    Three Phase Bridge Rectifier
  • Тип IGBT
    -
  • Детальний опис
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 710W Chassis Mount Module
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    1mA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    200A
  • Конфігурація
    Three Phase Inverter

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GSID100A120T2P2".
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

Опис: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 335A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Опис: DIODE 6A 400V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 430A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 285A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Опис: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Опис: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 170A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Опис: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.