Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M023A050N
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6759320Зображення GP1M023A050NGlobal Power Technologies Group

GP1M023A050N

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M023A050N
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M023A050N.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-3PN
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    347W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Інші імена
    1560-1192-1
    1560-1192-1-ND
    1560-1192-5
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3391pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M023A050N".
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Опис: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Опис: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Виробники: Socle Technology Corporation
В наявності
RFQ
GP1S096HCZ0F

GP1S096HCZ0F

Опис: SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1S097HCZ

GP1S097HCZ

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Опис: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Виробники: Socle Technology Corporation
В наявності
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Опис: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

Виробники: Socle Technology Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.