Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M003A050CG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
503467

GP1M003A050CG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M003A050CG
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M003A050CG.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    52W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    395pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M003A050CG".
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Опис: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Опис: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1L57

GP1L57

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Опис: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Опис: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Опис: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Опис: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Опис: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Опис: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Опис: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Виробники: Sharp Microelectronics
В наявності
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.