Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > S12BR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3596508

S12BR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
200+
$2.239
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S12BR
  • Виробник / марка
    GeneSiC Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.S12BR.pdf
    2.S12BR.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 12A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    100V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-4
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Інші імена
    S12BRGN
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Chassis, Stud Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard, Reverse Polarity
  • Детальний опис
    Diode Standard, Reverse Polarity 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 50V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    12A
  • Ємність @ Vr, F
    -

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "S12BR".
S12B-PUDSS-1(LF)(SN)

S12B-PUDSS-1(LF)(SN)

Опис: CONN HDR SIDE ENTRY 12 POS 2MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12B-XADSS-N

S12B-XADSS-N

Опис: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12B-XADSS-N(LF)(SN)

S12B-XADSS-N(LF)(SN)

Опис: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

Опис: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12D

S12D

Опис: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12G

S12G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12DR

S12DR

Опис: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Опис: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

Опис: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12GR

S12GR

Опис: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
S12B-XASK-1(LF)(SN)

S12B-XASK-1(LF)(SN)

Опис: XA HEADER (SIDE)

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

Опис: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
S12B-ZR

S12B-ZR

Опис: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

Опис: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.