Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - масиви > MBR60035CT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1249128Зображення MBR60035CTGeneSiC Semiconductor

MBR60035CT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
25+
$80.865
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MBR60035CT
  • Виробник / марка
    GeneSiC Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.MBR60035CT.pdf
    2.MBR60035CT.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    750mV @ 300A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    35V
  • Пакет пристрою постачальника
    Twin Tower
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    Twin Tower
  • Інші імена
    MBR60035CTGN
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    4 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Schottky
  • Конфігурація діодів
    1 Pair Common Cathode
  • Детальний опис
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1mA @ 20V
  • Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод)
    300A

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MBR60035CT".
MBR60040CTL

MBR60040CTL

Опис: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60045CTL

MBR60045CTL

Опис: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60020CTR

MBR60020CTR

Опис: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60020CTRL

MBR60020CTRL

Опис: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60035CTL

MBR60035CTL

Опис: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60020CTL

MBR60020CTL

Опис: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

Опис: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60040CTR

MBR60040CTR

Опис: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR600200CTR

MBR600200CTR

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60040CT

MBR60040CT

Опис: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60045CT

MBR60045CT

Опис: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60045CTR

MBR60045CTR

Опис: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60030CTR

MBR60030CTR

Опис: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60040CTRL

MBR60040CTRL

Опис: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR600200CT

MBR600200CT

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

Опис: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60030CTL

MBR60030CTL

Опис: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60020CT

MBR60020CT

Опис: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60035CTR

MBR60035CTR

Опис: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
MBR60035CTRL

MBR60035CTRL

Опис: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.