Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > 1N8034-GA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1892760Зображення 1N8034-GAGeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
50+
$180.002
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    1N8034-GA
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - пік реверсу (макс.)
    Silicon Carbide Schottky
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    9.4A (DC)
  • Напруга - розбивка
    TO-257
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Tube
  • Зворотний час відновлення (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Опір @ Якщо, Ф.
    1107pF @ 1V, 1MHz
  • Поляризація
    TO-257-3
  • Інші імена
    1242-1121
    1N8034GA
  • Робоча температура - з'єднання
    0ns
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    1N8034-GA
  • Розгорнутий опис
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257
  • Конфігурація діодів
    5µA @ 650V
  • Опис
    DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1.34V @ 10A
  • Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод)
    650V
  • Ємність @ Vr, F
    -55°C ~ 250°C
1N8149

1N8149

Опис: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821AUR

1N821AUR

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
1N8035-GA

1N8035-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N8165US

1N8165US

Опис: TVS DIODE 33V 53.6V

Виробники: Microsemi
В наявності
1N8028-GA

1N8028-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N822

1N822

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
1N8024-GA

1N8024-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N8030-GA

1N8030-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N8032-GA

1N8032-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N8031-GA

1N8031-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821A

1N821A

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821UR-1

1N821UR-1

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Виробники: Microsemi
В наявності
1N8026-GA

1N8026-GA

Опис: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N8033-GA

1N8033-GA

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
1N821

1N821

Опис: DIODE ZENER DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
1N8182

1N8182

Опис: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
1N821-1

1N821-1

Опис: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти