Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJQ480E-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5478377Зображення SQJQ480E-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ480E-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.30
10+
$2.985
100+
$2.399
500+
$1.866
1000+
$1.546
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJQ480E-T1_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQJQ480E-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 8 x 8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    136W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    SQJQ480E-T1_GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    8625pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    144nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    N-Channel 80V 150A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQJQ480E-T1_GE3".
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.