Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQJ469EP-T1_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5196349Зображення SQJ469EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ469EP-T1_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.49
10+
$3.151
100+
$2.532
500+
$1.969
1000+
$1.632
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQJ469EP-T1_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQJ469EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 10.2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    100W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SQJ469EP-T1-GE3DKR
    SQJ469EP-T1-GE3DKR-ND
    SQJ469EP-T1_GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    5100pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    P-Channel 80V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQJ469EP-T1_GE3".
SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ500EPTR

SQJ500EPTR

Опис: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SQJ500EP

SQJ500EP

Опис: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 30A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 30A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ486EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.