Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SQD50N10-8M9L_GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6516777Зображення SQD50N10-8M9L_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50N10-8M9L_GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.94
10+
$1.718
100+
$1.358
500+
$1.053
1000+
$0.832
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SQD50N10-8M9L_GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHAN 100V TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SQD50N10-8M9L_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    8.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    136W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    SQD50N10-8M9L_GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2950pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SQD50N10-8M9L_GE3".
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 50A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Опис: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Опис: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 50A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 50A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

Опис: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.