Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIS468DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2729360Зображення SIS468DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS468DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.58
10+
$1.395
100+
$1.103
500+
$0.855
1000+
$0.675
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS468DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIS468DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SIS468DN-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    780pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    N-Channel 80V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIS468DN-T1-GE3".
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Опис: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.