Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIS110DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4731163Зображення SIS110DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS110DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.80
10+
$0.70
100+
$0.54
500+
$0.40
1000+
$0.32
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIS110DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIS110DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    54 mOhm @ 4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.2W (Ta), 24W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SIS110DN-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    550pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    7.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta), 14.2A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIS110DN-T1-GE3".
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS03VY

SIS03VY

Опис: DC DC CONVERTER 1.2V 3W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS07VB

SIS07VB

Опис: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS03VE

SIS03VE

Опис: DC DC CONVERTER 3.3V 9W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS07VA

SIS07VA

Опис: DC DC CONVERTER 1.5V 10W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS03VB

SIS03VB

Опис: DC DC CONVERTER 1.8V 5W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS07VE

SIS07VE

Опис: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS03VD

SIS03VD

Опис: DC DC CONVERTER 2.5V 7W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS07VD

SIS07VD

Опис: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIS03VA

SIS03VA

Опис: DC DC CONVERTER 1.5V 4W

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.