Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR844DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4591915Зображення SIR844DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR844DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.811
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR844DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR844DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 50W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR844DP-T1-GE3TR
    SIR844DPT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    21 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3215pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR844DP-T1-GE3".
SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.