Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR638DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2641163Зображення SIR638DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR638DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.831
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR638DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.SIR638DP-T1-GE3.pdf
    2.SIR638DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    0.88 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    104W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR638DP-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    10500pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    204nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR638DP-T1-GE3".
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.