Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR158DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4843227Зображення SIR158DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR158DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.24
10+
$2.023
100+
$1.626
500+
$1.264
1000+
$1.048
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR158DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR158DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR158DP-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4980pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR158DP-T1-GE3".
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Опис: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR-56ST3FF

SIR-56ST3FF

Опис: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Опис: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Опис: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Опис: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Виробники: Samtec, Inc.
В наявності
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Опис: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.