Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIJ484DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4513209Зображення SIJ484DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ484DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIJ484DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIJ484DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1600pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIJ484DP-T1-GE3".
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NX2301PVL

NX2301PVL

Опис: MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
CEDM7004VL TR

CEDM7004VL TR

Опис: MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883

Виробники: Central Semiconductor
В наявності
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STW54NK30Z

STW54NK30Z

Опис: MOSFET N-CH 300V 54A TO-247

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AOTF2618L

AOTF2618L

Опис: MOSFET N-CH 60V 16A TO220F

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
FDS6294

FDS6294

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.