Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHH21N60E-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4897294Зображення SIHH21N60E-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHH21N60E-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHH21N60E-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHH21N60E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 8 x 8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    176 mOhm @ 11A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    104W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    SIHH21N60E-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2015pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHH21N60E-T1-GE3".
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH21N60EF-T1-GE3

SIHH21N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.