Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHB12N60ET1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
291763Зображення SIHB12N60ET1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB12N60ET1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$1.217
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHB12N60ET1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263 (D²Pak)
  • Серія
    E
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    147W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    937pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHB12N60ET1-GE3".
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA6N80E-GE3

SIHA6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.