Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIA483DJ-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3236752Зображення SIA483DJ-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA483DJ-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.196
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIA483DJ-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIA483DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SC-70-6
  • Інші імена
    SIA483DJ-T1-GE3TR
    SIA483DJT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1550pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIA483DJ-T1-GE3".
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA513DJ-T1-GE3

SIA513DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHANNEL 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA467EDJ-T1-GE3

SIA467EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.