Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIA444DJT-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5522712Зображення SIA444DJT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA444DJT-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.76
10+
$0.64
100+
$0.48
500+
$0.352
1000+
$0.272
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIA444DJT-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIA444DJT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SC-70-6
  • Інші імена
    SIA444DJT-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIA444DJT-T1-GE3".
SIA450DJ-T1-GE3

SIA450DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA443DJ-T1-GE3

SIA443DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA453EDJ-T1-GE3

SIA453EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA450DJ-T1-E3

SIA450DJ-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA448DJ-T1-GE3

SIA448DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA443DJ-T1-E3

SIA443DJ-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.