Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI9933CDY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2357824

SI9933CDY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.267
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI9933CDY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI9933CDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    3.1W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI9933CDY-T1-GE3TR
    SI9933CDYT1GE3
  • Робоча температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    665pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Номер базової частини
    SI9933

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI9933CDY-T1-GE3".
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
SI9961ACY-T1-E3

SI9961ACY-T1-E3

Опис: IC MOTOR DRIVER PAR 24SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Опис: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Опис: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Опис: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Опис: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9955DY

SI9955DY

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.