Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI7922DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2628608Зображення SI7922DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7922DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.09
10+
$1.89
100+
$1.519
500+
$1.182
1000+
$0.979
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7922DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7922DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    195 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.3W
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Інші імена
    SI7922DN-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A
  • Номер базової частини
    SI7922

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7922DN-T1-GE3".
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7911DN-T1-E3

SI7911DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7923DN-T1-E3

SI7923DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7925DN-T1-E3

SI7925DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7913DN-T1-E3

SI7913DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.