Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7850ADP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4888562Зображення SI7850ADP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7850ADP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.588
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7850ADP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7850ADP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SI7850ADP-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    790pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 12A (Tc) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 12A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7850ADP-T1-GE3".
SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7858ADP-T1-GE3

SI7858ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.