Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7619DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5054327Зображення SI7619DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7619DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.35
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7619DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7619DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SI7619DN-T1-GE3TR
    SI7619DNT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7619DN-T1-GE3".
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.